- Модель продукта EPC2065
- Бренд EPC
- RoHS 1
- Описание GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5125
Технические детали
- Пакет/кейс Die
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 25A, 5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 7mA
- Пакет устройств поставщика Die
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
- ВГС (Макс) +6V, -4V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12.2 nC @ 5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1449 pF @ 40 V
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 40V 29A DIE
Инвентаризация: 34495
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Инвентаризация: 1578
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Инвентаризация: 2698
GANFET N-CH 80V 90A DIE
Инвентаризация: 60719
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Инвентаризация: 49640
