Технические детали

• Пакет/кейс Die
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30A
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 3.5mA
• Пакет устройств поставщика Die
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V
• ВГС (Макс) +7.5V, -12V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 5.8 nC @ 6 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 241 pF @ 400 V