- Модель продукта IGLD60R070D1AUMA3
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание GANFET N-CH
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2989
Технические детали
- Пакет/кейс 8-LDFN Exposed Pad
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 15A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 114W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.6V @ 2.6mA
- Пакет устройств поставщика PG-LSON-8-1
- ВГС (Макс) -10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 380 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8
Инвентаризация: 100
GAN HV
Инвентаризация: 2294
GAN HV PG-LSON-8
Инвентаризация: 0
GAN HV
Инвентаризация: 4106
GANFET N-CH
Инвентаризация: 959
