Технические детали

• Пакет/кейс 8-LDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A (Tc)
• Рассеиваемая мощность (макс.) 62.5W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.6V @ 960µA
• Пакет устройств поставщика PG-LSON-8-1
• ВГС (Макс) -10V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 157 pF @ 400 V