- Модель продукта GPI65030TO5L
- Бренд GaNPower
- RoHS 1
- Описание GaNFET N-CH 650V 30A TO263-5L
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1586
Технические детали
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30A
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.4V @ 3.5mA
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V
- ВГС (Макс) +7.5V, -12V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 5.8 nC @ 6 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 241 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
GaNFET N-CH 650V 5A DFN6x8
Инвентаризация: 450
GaNFET N-CH 650V 8A DFN6x8
Инвентаризация: 990
GANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8
Инвентаризация: 180
GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8
Инвентаризация: 100
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
