Инвентаризация:4852

Технические детали

  • Пакет/кейс 16-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 182mOhm @ 900mA, 12V
  • Особенность полевого транзистора Current Sensing
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.2V @ 4.2mA
  • Пакет устройств поставщика 16-DFN (8x8)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 12V
  • ВГС (Макс) +20V, -1V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.3 nC @ 12 V

Сопутствующие товары


GAN

Инвентаризация: 0

650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W

Инвентаризация: 737

650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.

Инвентаризация: 4885

650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.

Инвентаризация: 4355

650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 2234

ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO

Инвентаризация: 3051

GANFET N-CH

Инвентаризация: 1489

GANFET N-CH

Инвентаризация: 2923

GAN FET HEMT 650V .36OHM 22QFN

Инвентаризация: 2960

650 V 13 A GAN FET

Инвентаризация: 5887

Top