Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerVDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 182mOhm @ 900mA, 12V
• Особенность полевого транзистора Current Sensing
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4.2V @ 4.2mA
• Пакет устройств поставщика 8-DFN (5x6)
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 9V, 20V
• ВГС (Макс) +20V, -1V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.3 nC @ 12 V