- Модель продукта GPI65010DF56
- Бренд GaNPower
- RoHS 0
- Описание GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс Die
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.4V @ 3.5mA
- Пакет устройств поставщика Die
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V
- ВГС (Макс) +7.5V, -12V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.6 nC @ 6 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 90 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Инвентаризация: 15879
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Инвентаризация: 28263
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Инвентаризация: 1971
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
Инвентаризация: 167
GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
Инвентаризация: 100
GaNFET N-CH 900V 10A DFN8x8
Инвентаризация: 2980
