Инвентаризация:4480

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-DFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 162mOhm @ 2.5A, 6V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 3.5mA
  • Пакет устройств поставщика 8-DFN (8x8)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V
  • ВГС (Макс) +7.5V, -12V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 900 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.6 nC @ 6 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 78 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6

Инвентаризация: 283

GaNFET N-CH 900V 5A DFN8x8

Инвентаризация: 50

GaNFET N-CH 900V 7A DFN8x8

Инвентаризация: 665

Top