Инвентаризация:1631

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 96A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 22mOhm @ 58.2A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 446W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 2.91mA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO247-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 234 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 11659 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 269

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 178

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

Инвентаризация: 273

N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,

Инвентаризация: 36

650 V 95 A GAN FET

Инвентаризация: 713

Top