Инвентаризация:11088

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XFDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.2A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 45mOhm @ 1A, 4.5V
  • Материал феррулы 650mW (Ta)
  • Барьерный тип 1.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DSN1010-3
  • Длина ремня 2.5V, 4.5V
  • Шаг Количество -20V
  • 20 V
  • 1.9 nC @ 4.5 V
  • 425 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN

Инвентаризация: 116237

MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN

Инвентаризация: 164254

MOSFET P-CH 20V 530MA 3DFN

Инвентаризация: 30501

DIODE ZENER 4.3V 250MW 2DFN

Инвентаризация: 27370

PMCB60XN/NAX000/NONE

Инвентаризация: 22905

Top