Инвентаризация:24405

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XFDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 4A, 4.5V
  • Материал феррулы 480mW (Ta), 7W (Tc)
  • Барьерный тип 1.1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DSN1006-3
  • Длина ремня 1.8V, 4.5V
  • Шаг Количество ±12V
  • 30 V
  • 2.7 nC @ 4.5 V
  • 241 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 100A TDSON

Инвентаризация: 45476

DIODE ZENER 5.6V 250MW 2DFN

Инвентаризация: 142071

MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 9752

MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN

Инвентаризация: 13321

MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3

Инвентаризация: 6520

MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3

Инвентаризация: 9588

PMCB60XNE/SOT8026/DSN1006-3

Инвентаризация: 9863

Top