Инвентаризация:32001

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XFDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 530mA (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Материал феррулы 820mW (Ta)
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN0604-3
  • Длина ремня 1.5V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 20 V
  • 0.4 nC @ 4.5 V
  • 28.7 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR

Инвентаризация: 8406

MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

Инвентаризация: 8363

MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN

Инвентаризация: 1177717

MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN

Инвентаризация: 12926

Top