Инвентаризация:9906

Технические детали

  • Тип монтажа 4-XFLGA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7.4A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 9.9mOhm @ 1A, 4.5V
  • Материал феррулы 600mW (Ta)
  • Барьерный тип 1.05V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 4-PICOSTAR
  • Длина ремня 1.5V, 4.5V
  • Шаг Количество -6V
  • 8 V
  • 8.5 nC @ 4.5 V
  • 1390 pF @ 4 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA

Инвентаризация: 5890

MOSFET N-CH 20V 510MA 3DFN

Инвентаризация: 33430

MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN

Инвентаризация: 116237

IC BUF NON-INVERT 3.6V 14VQFN

Инвентаризация: 24445

Top