Инвентаризация:7390

Технические детали

  • Тип монтажа 4-UFBGA, DSBGA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 1.6A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
  • Материал феррулы 1.8W (Ta)
  • Барьерный тип 1.3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 4-DSBGA (1x1)
  • Длина ремня 2.5V, 4.5V
  • Шаг Количество ±10V
  • 12 V
  • 7.8 nC @ 4.5 V
  • 862 pF @ 6 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA

Инвентаризация: 41398

MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA

Инвентаризация: 322

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

Инвентаризация: 16295

SOLAR CELL G3 THIN 0.69V 30.7MW

Инвентаризация: 1897

Top