Инвентаризация:17795

Технические детали

  • Тип монтажа 4-UFBGA, DSBGA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.2A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 53mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Материал феррулы 1W (Ta)
  • Барьерный тип 900mV @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 4-DSBGA (1x1)
  • Длина ремня 1.5V, 4.5V
  • Шаг Количество -6V
  • 12 V
  • 3.8 nC @ 4.5 V
  • 512 pF @ 6 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA

Инвентаризация: 41398

MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA

Инвентаризация: 5890

MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR

Инвентаризация: 29014

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

Инвентаризация: 15631

MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA

Инвентаризация: 18598

SOLAR CELL G3 THIN 0.69V 30.7MW

Инвентаризация: 1897

MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA

Инвентаризация: 9543

MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT

Инвентаризация: 6000

Top