Инвентаризация:34930

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XFDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 510mA (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 990mOhm @ 100mA, 4.5V
  • Материал феррулы 400mW (Ta)
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN0806-3
  • Длина ремня 1.2V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 20 V
  • 0.5 nC @ 4.5 V
  • 27.6 pF @ 16 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR

Инвентаризация: 8406

MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8

Инвентаризация: 2700

IC BUF NON-INVERT 3.6V 14VQFN

Инвентаризация: 24445

Top