- Модель продукта QS8J13TR
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:4200
Технические детали
- Тип монтажа 8-SMD, Flat Leads
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 P-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 1.25W
- Внутренняя отделка контактов 12V
- Толщина внешнего контактного покрытия 5.5A
- Глубина 6300pF @ 6V
- Сопротивление при 25°C 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
- Тип симистора 60nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение TSMT8