- Модель продукта IPN80R2K4P7ATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:13097
Технические детали
- Тип монтажа TO-261-4, TO-261AA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 2.5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.4Ohm @ 800mA, 10V
- Материал феррулы 6.3W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 40µA
- Максимальное переменное напряжение PG-SOT223
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 800 V
- 7.5 nC @ 10 V
- 150 pF @ 500 V