- Модель продукта IPN80R3K3P7ATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:14862
Технические детали
- Тип монтажа TO-261-4, TO-261AA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 1.9A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.3Ohm @ 590mA, 10V
- Материал феррулы 6.1W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 30µA
- Максимальное переменное напряжение PG-SOT223
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 800 V
- 5.8 nC @ 10 V
- 120 pF @ 500 V