- Модель продукта IPN60R2K0PFD7SATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:16935
Технические детали
- Тип монтажа TO-261-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 3A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2Ohm @ 500mA, 10V
- Материал феррулы 6W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 30µA
- Максимальное переменное напряжение PG-SOT223-3-1
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 600 V
- 3.8 nC @ 10 V
- 134 pF @ 400 V