- Модель продукта IPD60R1K4C6ATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:21465
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 3.2A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
- Материал феррулы 28.4W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 90µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO252-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 600 V
- 9.4 nC @ 10 V
- 200 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Инвентаризация: 19067
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Инвентаризация: 16905
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Инвентаризация: 4796
MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Инвентаризация: 11597
