Инвентаризация:3980

Технические детали

  • Тип монтажа 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 1.3A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 270mOhm @ 780mA, 5V
  • Материал феррулы 1.3W (Ta)
  • Барьерный тип 2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 4-HVMDIP
  • Длина ремня 4V, 5V
  • Шаг Количество ±10V
  • 100 V
  • 12 nC @ 5 V
  • 490 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

Инвентаризация: 46

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Инвентаризация: 20873

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

Инвентаризация: 2935

MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP

Инвентаризация: 53281

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP

Инвентаризация: 12045

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Инвентаризация: 4318

Top