Инвентаризация:1546

Технические детали

  • Тип монтажа 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Количество витков Through Hole
  • Скорость 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • Крутящий момент - Винт 0°C ~ 70°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 500mW
  • Внутренняя отделка контактов 10.6V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 80mA
  • Глубина 30pF @ 5V
  • Сопротивление при 25°C 14Ohm
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 20mV @ 20µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PDIP

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Инвентаризация: 85

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

Инвентаризация: 1

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Инвентаризация: 85

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Инвентаризация: 20873

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP

Инвентаризация: 12045

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

Инвентаризация: 2480

MOSFET 4N-CH 20V 0.05A 16DIP

Инвентаризация: 432

Top