- Модель продукта ALD1116PAL
- Бренд Advanced Linear Devices, Inc.
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 8-DIP (0.300", 7.62mm)
- Количество витков Through Hole
- Скорость 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
- Крутящий момент - Винт 0°C ~ 70°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 500mW
- Внутренняя отделка контактов 10.6V
- Глубина 3pF @ 5V
- Сопротивление при 25°C 500Ohm @ 5V
- Барьерный тип 1V @ 1µA
- Максимальное переменное напряжение 8-PDIP
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Инвентаризация: 85
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
Инвентаризация: 3
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Инвентаризация: 3471
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
Инвентаризация: 22
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Инвентаризация: 46
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Инвентаризация: 20873
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Инвентаризация: 12045
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Инвентаризация: 2480
