Инвентаризация:1932

Технические детали

  • Тип монтажа 16-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Количество витков Through Hole
  • Скорость 4 N-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 500mW (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 50mA (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 70Ohm @ 1mA, 5V
  • Барьерный тип 1.5V @ 1µA
  • Максимальное переменное напряжение 16-DIP

Сопутствующие товары


SIC 6N-CH 1200V 379A ACEPACK

Инвентаризация: 0

MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC

Инвентаризация: 3

MOSFET 4N-CH 20V 0.05A 14SOIC

Инвентаризация: 5289

MOSFET 4N-CH 60V 7A 15ZIP

Инвентаризация: 722

MOSFET 4N-CH 60V 7A 15SIP

Инвентаризация: 85

JFET 2N-CH 25V 8SOIC

Инвентаризация: 45

MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3

Инвентаризация: 288

MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3

Инвентаризация: 141

Top