Инвентаризация:5818

Технические детали

  • Тип монтажа 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 1A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 540mOhm @ 600mA, 5V
  • Материал феррулы 1.3W (Ta)
  • Барьерный тип 2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 4-HVMDIP
  • Длина ремня 4V, 5V
  • Шаг Количество ±10V
  • 100 V
  • 6.1 nC @ 5 V
  • 250 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP

Инвентаризация: 1728

MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP

Инвентаризация: 53281

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

Инвентаризация: 2480

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC

Инвентаризация: 15593

MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3

Инвентаризация: 2863

Top