- Модель продукта IRLD110PBF
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5818
Технические детали
- Тип монтажа 4-DIP (0.300", 7.62mm)
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 1A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 540mOhm @ 600mA, 5V
- Материал феррулы 1.3W (Ta)
- Барьерный тип 2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 4-HVMDIP
- Длина ремня 4V, 5V
- Шаг Количество ±10V
- 100 V
- 6.1 nC @ 5 V
- 250 pF @ 25 V