Инвентаризация:3228

Технические детали

  • Тип монтажа 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 800mA (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 800mOhm @ 480mA, 10V
  • Материал феррулы 1W (Ta)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 4-HVMDIP
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 200 V
  • 14 nC @ 10 V
  • 260 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET, N-CH, SINGLE, 780MA, 30V

Инвентаризация: 15890

MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP

Инвентаризация: 2304

MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP

Инвентаризация: 53281

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Инвентаризация: 4318

MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB

Инвентаризация: 2483

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

Инвентаризация: 2605

MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB

Инвентаризация: 44318

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC

Инвентаризация: 15593

Top