Инвентаризация:3804

Технические детали

  • Тип монтажа 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 800mA (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 800mOhm @ 800mA, 10V
  • Материал феррулы 1W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 4-HVMDIP
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 7 nC @ 10 V
  • 200 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET, N-CH, SINGLE, 780MA, 30V

Инвентаризация: 15890

MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP

Инвентаризация: 1728

MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB

Инвентаризация: 44318

Top