Инвентаризация:54781

Технические детали

  • Тип монтажа 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 1A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 600mOhm @ 600mA, 10V
  • Материал феррулы 1.3W (Ta)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 4-HVMDIP
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 18 nC @ 10 V
  • 390 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 6.8V 1W DO41

Инвентаризация: 10388

DIODE ZENER 6.8V 1W DO41

Инвентаризация: 0

DIODE ZENER 6.8V 1W AXIAL

Инвентаризация: 53

Zener Diode 1W 6.8V DO-41G

Инвентаризация: 9500

TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3

Инвентаризация: 27824

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Инвентаризация: 20873

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

Инвентаризация: 2935

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

Инвентаризация: 2480

JFET N-CH 35V TO92-3

Инвентаризация: 42409

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

Инвентаризация: 2605

Top