- Модель продукта SIR184DP-T1-RE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 20.7A (Ta), 73A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 5.8mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 5W (Ta), 62.5W (Tc)
- Барьерный тип 3.4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 32 nC @ 10 V
- 1490 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Инвентаризация: 10504
MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
Инвентаризация: 2773
MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
Инвентаризация: 0
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Инвентаризация: 11142
MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK
Инвентаризация: 865
MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Инвентаризация: 3195
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 20700
