- Модель продукта SIDR626DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 42.8A (Ta), 100A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.7mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 6.25W (Ta), 125W (Tc)
- Барьерный тип 3.4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8DC
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 102 nC @ 10 V
- 5130 pF @ 30 V