- Модель продукта SIDR626LDP-T1-RE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 45.6A (Ta), 2.4A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.5mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 6.25W (Ta), 125W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8DC
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 135 nC @ 10 V
- 5900 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Инвентаризация: 57332
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Инвентаризация: 5985
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Инвентаризация: 14272
MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Инвентаризация: 8970
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Инвентаризация: 14088
MOSFET N-CH 80V 30.7A/125A PPAK
Инвентаризация: 24
