- Модель продукта SIR664DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:22200
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 6mOhm @ 20A, 10V
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- 60 V
- 40 nC @ 10 V
- 1750 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 57700
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 8772
MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Инвентаризация: 5503
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Инвентаризация: 54788
