- Модель продукта SIR606BDP-T1-RE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4695
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 17.4mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 5W (Ta), 62.5W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 30 nC @ 10 V
- 1470 pF @ 50 V