Инвентаризация:3490

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11.4A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 11mOhm @ 9.8A, 10V
  • Материал феррулы 1.8W
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 40 V
  • 91 nC @ 10 V
  • 4234 pF @ 20 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 40V 9.1A 8SO

Инвентаризация: 15751

MOSFET 2P-CH 60V 5.2A 8SO

Инвентаризация: 1656

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

Инвентаризация: 12774

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 892

MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB

Инвентаризация: 3012

Top