Инвентаризация:2392

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8.8A (Ta), 46A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 12mOhm @ 10A, 10V
  • Материал феррулы 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DFN3333-8
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 40 V
  • 23 nC @ 4.5 V
  • 2767 pF @ 25 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333

Инвентаризация: 1600

MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333

Инвентаризация: 2623

MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO

Инвентаризация: 1990

MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN

Инвентаризация: 5429

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 6518

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 0

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 2878

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 7920

MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W

Инвентаризация: 3254

Top