- Модель продукта FDS6675BZ
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:14274
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 13mOhm @ 11A, 10V
- Материал феррулы 2.5W (Ta)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±25V
- 30 V
- 62 nC @ 10 V
- 2470 pF @ 15 V