Инвентаризация:3156

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5.2A (Ta)
  • Глубина 1525pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 48mOhm @ 5A, 10V
  • Тип симистора 14.5nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2P-CH 5.2A 8SO

Инвентаризация: 1985

MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB

Инвентаризация: 11169

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23

Инвентаризация: 15610

Top