Инвентаризация:2747

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TA)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 25.3A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 6.2mOhm @ 12A, 10V
  • Материал феррулы 6W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 30 V
  • 167 nC @ 10 V
  • 6630 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

Инвентаризация: 29668

MOSFET P-CH 30V 14A 8SO T&R 2

Инвентаризация: 2648

MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2

Инвентаризация: 6055

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8

Инвентаризация: 1765

MOSFET P-CH 30V 29A 8SO

Инвентаризация: 99019

MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO

Инвентаризация: 13687

MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO

Инвентаризация: 7953

MOSFET P-CH 30V 36A 8SO

Инвентаризация: 23222

Top