Инвентаризация:15187

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20.5A (Ta), 27.8A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 4.9mOhm @ 15A, 10V
  • Материал феррулы 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
  • Барьерный тип 2.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество +20V, -16V
  • 30 V
  • 84 nC @ 10 V
  • 3490 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 20A 8SO

Инвентаризация: 15813

MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO

Инвентаризация: 7953

Top