Инвентаризация:7555

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Ta), 32A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 10mOhm @ 11.5A, 10V
  • Материал феррулы 1.4W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 30 V
  • 46 nC @ 10 V
  • 2380 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 2365

MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO

Инвентаризация: 1247

Top