Инвентаризация:24722

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 36A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 3.3mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 285 nC @ 10 V
  • 9685 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 20A 8SO

Инвентаризация: 15813

MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO

Инвентаризация: 9611

MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO

Инвентаризация: 1247

MOSFET N-CH 40V 36A 8SO

Инвентаризация: 7355

MOSFET P-CH 30V 29A 8SO

Инвентаризация: 99019

IC TRANSLATOR BIDIR 20TSSOP

Инвентаризация: 19338

Top