- Модель продукта PMDXB600UNELZ
- Бренд Nexperia
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 6-XFDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 380mW
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 600mA
- Глубина 21.3pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 620mOhm @ 600mA, 4.5V
- Тип симистора 0.7nC @ 4.5V
- Барьерный тип 950mV @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение DFN1010B-6
Сопутствующие товары
NX138AKM/SOT883/XQFN3
Инвентаризация: 34714
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Инвентаризация: 109037
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Инвентаризация: 1684401
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Инвентаризация: 14951
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Инвентаризация: 33903
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Инвентаризация: 88317
