- Модель продукта PMDXB600UNEZ
- Бренд Nexperia
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Технические детали
- Тип монтажа 6-XFDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 265mW
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 600mA
- Глубина 21.3pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 620mOhm @ 600mA, 4.5V
- Тип симистора 0.7nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 950mV @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение DFN1010B-6
Сопутствующие товары
IC VOLT TRANSLATOR X2SON8
Инвентаризация: 12917
IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8X2SON
Инвентаризация: 24970
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Инвентаризация: 109037
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Инвентаризация: 1684401
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Инвентаризация: 19496
MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Инвентаризация: 718
