- Модель продукта PMCXB900UEZ
- Бренд Nexperia
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Технические детали
- Тип монтажа 6-XFDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel Complementary
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 265mW
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 600mA, 500mA
- Глубина 21.3pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 620mOhm @ 600mA, 4.5V
- Тип симистора 0.7nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 950mV @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение DFN1010B-6
Сопутствующие товары
MOSFET N/P-CH 20V 3.4A 6TSOP
Инвентаризация: 162187
MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Инвентаризация: 763966
MOSFET N/P-CH 20V 0.22A 6XLLGA
Инвентаризация: 0
MOSFET N/P-CH 20V 0.22A SOT963
Инвентаризация: 31934
MOSFET 2N-CH 60V 0.22A 6TSSOP
Инвентаризация: 43800
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Инвентаризация: 5164
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Инвентаризация: 19496
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Инвентаризация: 14951
