Инвентаризация:35403

Технические детали

  • Тип монтажа 6-XFDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 380mW
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 500mA
  • Глубина 43pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
  • Тип симистора 2.1nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 950mV @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DFN1010B-6

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN

Инвентаризация: 31798

MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN

Инвентаризация: 19496

MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN

Инвентаризация: 11750

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6

Инвентаризация: 88317

8-BIT SHIFT REGISTERS WITH OUTPU

Инвентаризация: 9782

Top