- Модель продукта PMDXB550UNEZ
- Бренд Nexperia
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:33298
Технические детали
- Тип монтажа 6-XFDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 285mW
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 590mA
- Глубина 30.3pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 670mOhm @ 590mA, 4.5V
- Тип симистора 1.05nC @ 4.5V
- Барьерный тип 950mV @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение DFN1010B-6
Сопутствующие товары
TRANS NPN 160V 0.06A SOT723
Инвентаризация: 49005
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Инвентаризация: 19496
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Инвентаризация: 33903
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Инвентаризация: 88317
