Инвентаризация:8868

Технические детали

  • Тип монтажа Die
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.8A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 6A, 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 2mA
  • Максимальное переменное напряжение Die
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество +6V, -4V
  • 80 V
  • 2.4 nC @ 5 V
  • 210 pF @ 40 V

Сопутствующие товары


DIODE CUR REG 100V 420UA 500MW

Инвентаризация: 4982

GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE

Инвентаризация: 22058

GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE

Инвентаризация: 15879

GANFET N-CH 60V 1.7A DIE

Инвентаризация: 40896

GANFET N-CH 100V 8.2A DIE

Инвентаризация: 94617

TRANS GAN 200V DIE 43MOHM

Инвентаризация: 18274

GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE

Инвентаризация: 14425

GANFET N-CH 80V 10A DIE

Инвентаризация: 22152

GANFET N-CH 65V 4A DIE

Инвентаризация: 9793

Top