Инвентаризация:3121

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.2A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 80mOhm @ 3.3A, 10V
  • Материал феррулы 980mW (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение POWERDI3333-8
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 25.2 nC @ 10 V
  • 1172 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

Инвентаризация: 1070

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

Инвентаризация: 4289

MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP

Инвентаризация: 33406

MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN

Инвентаризация: 34216

MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8

Инвентаризация: 16421

MOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLAT

Инвентаризация: 0

Top